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型号 EPC2012
厂商 EPC
描述 TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
EPC2012 PDF
代理商 EPC2012
应用说明 Second Generation eGaN® FETs
Assembling eGaN® FETS
Using eGaN® FETs
产品培训模块 Paralleling eGaN? FETs
标准包装 1,000
系列 eGaN®
FET 型 GaNFET N 通道，氮化镓
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 3A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 100 毫欧 @ 3A，5V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 2.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs 1.5nC @ 100V
输入电容 (Ciss) @ Vds 128pF @ 100V
安装类型 表面贴装
封装/外壳 模具
供应商设备封装 模具
包装 带卷 (TR)
配用 917-1013-ND - BOARD DEV FOR EPC2012 200V EGAN
其它名称 917-1017-2
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